Samsung a acceptat solicitarea Nvidia ca o parte din memoria sa personalizată HBM4E cu lățime de bandă mare, comercializată sub denumirea NVHBM, să fie produsă folosind procesul de 3 nanometri al TSMC.
Amploarea cererii Nvidia și rolul NVHBM
Nvidia le-a solicitat celor trei principali furnizori de HBM să fabrice anumite componente de memorie cu litografia de 3 nm de la TSMC, pentru a asigura performanțe uniforme și a simplifica validarea între furnizori. Cipurile vizate sunt memorii HBM4E personalizate, denumite de Nvidia NVHBM, destinate infrastructurii sale de inteligență artificială.
- Micron
- SK hynix
- Samsung
Împărțirea producției de wafer și procesul intern al Samsung
O parte din producția de wafer pentru NVHBM va fi direcționată către procesul de 3 nm al TSMC, în timp ce alte componente ale stivelor de memorie vor fi fabricate în propriile facilități Samsung, folosind litografia de generația a șasea a companiei, cunoscută drept procesul 1c. Samsung a colaborat anterior cu TSMC pentru ambalarea cipurilor, însă faptul că TSMC va produce wafer pentru memorii proiectate de Samsung reprezintă o premieră în istoria de producție a companiei.
Lasă un comentariu
Comentarii
Niciun comentariu încă. Fii primul.