Samsung dezvoltă trei variante specializate de memorie Z-NAND — Z-NAND-O, Z-NAND-T și Z-NAND-I — fiecare destinată unor tipuri diferite de sarcini din infrastructura AI.
ZDNet a relatat despre aceste proiecte și a menționat un mockup al Z-NAND-O, prezentat la un eveniment al industriei memoriilor organizat în SUA, în august. Articolul original a fost publicat pe 12 octombrie 2026 și îl citează pe Min-jun Kim.
Z-NAND-O utilizează tehnologia through-silicon via (TSV) pentru stivuirea verticală a cipurilor NAND în patru sau opt straturi. Samsung susține că Z-NAND-O vizează creșterea vitezelor de transfer al datelor și a eficienței energetice pentru AI rulat direct pe dispozitive mobile și alte echipamente conectate.
Z-NAND-T pune accentul pe throughput și lățimea de bandă, fiind destinată centrelor de date AI de înaltă performanță, care trebuie să transfere eficient volume mari de date.
Z-NAND-I prioritizează numărul de operațiuni de intrare/ieșire pe secundă, indicând câte operațiuni individuale de citire și scriere poate gestiona memoria.
Samsung nu a anunțat oficial întreaga gamă, specificațiile sau calendarul de lansare pentru cele trei variante.
Abordarea pe trei direcții sugerează că Samsung intenționează să adapteze tehnologia NAND la sarcini AI specifice, în loc să se bazeze pe un singur design.
SK Hynix urmează o strategie similară, cu o familie AI-NAND care include AIN P pentru performanță, AIN D pentru densitatea de stocare și AIN B pentru lățime de bandă.
Pe măsură ce infrastructura AI se extinde, NAND-ul personalizat ar putea deveni tot mai important, alături de memoria și stocarea convenționale.
Lasă un comentariu
Comentarii
Niciun comentariu încă. Fii primul.